Транзистор MOSFET BSC190N15NS3GATMA1 150V 50A (Infineon)
- Ожидается
Цену уточняйте
+7 (499) 136-1555
многоканальный- Условия оплаты и доставки
- График работы
- Адрес и контакты
Транзистор MOSFET BSC190N15NS3GATMA1 150V 50A (Infineon)
Цену уточняйте
ОжидаетсяОписание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
Power MOSFET N-Ch 150V 50A (TDSON-8) OptiMOS 3
Rds On - Drain-Source Resistance: 19mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2V
Vgs - Gate-Source Voltage: 10V
Qg - Gate Charge: 23nC
Pd - Power Dissipation: 125W
Operating Temperature: -55 +150C
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Германия |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Максимальная мощность рассеивания | 125.0 Вт |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150.0 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 10.0 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50.0 А |
| Дополнительные характеристики | |
| Сопротивление открытого канала | 19 мОм |
- Цена: Цену уточняйте
